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原邊13W開關(guān)電源芯片 SF6773V
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950
更多 +
提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無光耦，無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
更多 +
效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
無異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動EMI
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5V1.5A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(2
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動功能。在啟動階段，U8766通過芯片HV腳對VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中，當(dāng)VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以
- 閱讀（8） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析2025年04月22日 11:25
- 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝
- 閱讀（7） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時，U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束
- 閱讀（12） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動和低待機(jī)應(yīng)用需求2025年04月17日 14:15
- 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過HV高壓引腳實(shí)時檢測交流輸入狀態(tài)，市電斷開時觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機(jī)損耗問題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！ 充電器icU7576主要特點(diǎn)： 1.集成高壓啟動功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測與X電容放電功能 3.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機(jī)功
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率2025年04月17日 10:55
- 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實(shí)時監(jiān)測負(fù)載狀態(tài)，自動調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率，輕載或空載時降低頻率（如待機(jī)狀態(tài)），減少開關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可低于50mW；重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓啟動電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個500V高壓啟動單元。在開機(jī)過程中該啟動單元開始工作，從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進(jìn)行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流芯片U72692025年04月16日 11:51
- 同步整流芯片U7269具有雙LDO供電。圖1展示了低端配置的典型系統(tǒng)架構(gòu)，這種供電方式的優(yōu)點(diǎn)在于其支持的輸出電壓范圍廣，即使輸出電壓降低到0V SR也能正常工作。 同步整流芯片U7269亦支持高端應(yīng)用，有兩類配置方式。圖2中Vo引腳直接和HV引腳相連，此時VDD電壓會穩(wěn)定在9V左右。 圖3中Vo引腳和GND引腳相連，此時VDD電壓穩(wěn)定在6V左右。 同步整流芯片U7269主要特點(diǎn)： 支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)和有源鉗位（AC
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5V2.1A電源方案推薦主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58
- 5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯(lián)寶科技的開關(guān)電源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有興趣的小伙伴可以來電詢問詳細(xì)資料。今天簡單介紹下！ 開關(guān)電源芯片U92143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。采用U92143可以工作無異音，同時可保證優(yōu)異的動態(tài)性能。利用集成的線損補(bǔ)償功能，可獲得高性能的恒壓輸出表現(xiàn)。 開關(guān)電源芯片U92143集成有多種保護(hù)功能：如VDD欠壓保護(hù)(UVLO)
- 閱讀（8） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]原邊反饋5V2A充電器芯片CY3783A精準(zhǔn)控壓2025年04月10日 14:23
- 通過檢測原邊繞組參數(shù)（如電流、電壓）間接控制輸出電壓，無需次級反饋電路，降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提升響應(yīng)速度，可以有效提高芯片恒壓控制精度。銀聯(lián)寶充電器芯片CY3783A具有出色的恒壓控制精度，且內(nèi)置準(zhǔn)諧振導(dǎo)通模式和多模式控制（PWM+PFM），優(yōu)化輕載效率，適用功率10W！
- 閱讀（20） 標(biāo)簽：
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