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: 低壓MOS場效應(yīng)管AP9926 雙NMOS SOP-8封裝

雙N通道超高密度電池設(shè)計MOS管
適用極低Ros（on）
高功率和電流處理能力
阻抗值較小
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: 低壓N溝道MOS管AP83T03K TO-252封裝

N溝道MOS
Lnw導(dǎo)通電阻
硅工藝技術(shù)
快速切換性能
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: P溝道MOS場效應(yīng)管AP15P03Q DFN3*3

P溝道功率
極低的EDS（ON）
快速開關(guān)
阻抗值較小
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: 低壓MOS管AP75N04K N溝道to-252

N通道增強模式
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
良好的活性氧
阻抗值較小
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: AP120N03K低壓MOSTO-252封裝

N溝道MOS管
Lnw導(dǎo)通電阻
快速切換
阻抗值較小
更多 +

: AP3407增強型低壓功率低壓MOS管SOT23封裝

P溝道功率
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
阻抗值較小
更多 +

: 低壓MOS場效應(yīng)管AP2080KTO-252封裝

2.5V門禁驅(qū)動
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
體積小，活性氧含量極低
阻抗值較小
符合RoSH和無鹵
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: 鋰電池保護板低壓MOSAP8810 雙N溝道 SOP-8封裝

P負(fù)載開關(guān)
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
阻抗值較小
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: 低壓MOS管場效應(yīng)管AP3010 SOP-8封裝 N溝道MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

SOP-8封裝
較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低
適用于保護電路，開關(guān)電路
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: 低壓MOS管 AP8205A TSSOP8

雙N溝道TSSOP8薄體，密腳的
較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低2.5V
適用于保護電路，開關(guān)電路
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: 低壓MOS管 AP3401 SOT23

SOT23-3塑料封裝P道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，P溝道功率MOSFET
適用于作負(fù)載開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用
阻抗值較低
VDS（V）=-30V ID=-4.2A（VGS=-10V） RDS(ON)＜50mΩ（VGS=-10V） RDS(ON)＜65mΩ（VGS=-4.5V） RDS(ON)＜85mΩ（VGS=-2.5V
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: 低壓MOS管 AP2302 SOT23

P負(fù)載開關(guān)
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
阻抗值較小
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: 低壓MOS管 AP2300 SOT23

低導(dǎo)通電阻150°C操作溫度
溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的通電阻
低導(dǎo)通電阻
快速切換
無鉛，符合RoHS要求
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: 低壓MOS AP8205 SOT23-6封裝

采用的溝槽技術(shù)
提供較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷
柵極電壓低于2.5V
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: 5V2.4A同步整流芯片TB8521

●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅(qū)動電路
●啟動及靜態(tài)工作電流
更多 +

: 5V2A同步整流芯片TB8520

●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅(qū)動電路
●啟動及靜態(tài)工作電流
更多 +

: 60W系列 12V5A六級能效方案

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
更多 +

: 12W系列 12V1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 10W系列 5V2A六級能效方案

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
更多 +

: 10W系列 5V2A能效六級方案

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
更多 +

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