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副邊25W開關電源芯片 SF5930
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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PFC肖特基 PFS5A60
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無光耦，無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
內(nèi)置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優(yōu)化降頻技術提率更多 +
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動EMI
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60W系列 12V5A能效六級方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
待機功耗小于75mW
自動補償輸入電壓.電感感量變化
自動補償輸入電壓.電感感量變化
啟動電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補償
逐周期電流限制
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10W系列5V2A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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5V1.5A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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12W系列 5V2.4A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
- [公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動和低待機應用需求2025年04月17日 14:15
- 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過HV高壓引腳實時檢測交流輸入狀態(tài)，市電斷開時觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機損耗問題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！ 充電器icU7576主要特點： 1.集成高壓啟動功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測與X電容放電功能 3.可支持斷續(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機功
- 閱讀（2） 標簽：
- [公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率2025年04月17日 10:55
- 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實時監(jiān)測負載狀態(tài)，自動調(diào)節(jié)MOSFET的開關頻率，輕載或空載時降低頻率（如待機狀態(tài)），減少開關損耗，典型待機功耗可低于50mW；重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓啟動電路和超低待機功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個500V高壓啟動單元。在開機過程中該啟動單元開始工作，從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進行充電，如“功能模塊”中所述。當VDD電壓上升至
- 閱讀（2） 標簽：
- [公司新聞]帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流芯片U72692025年04月16日 11:51
- 同步整流芯片U7269具有雙LDO供電。圖1展示了低端配置的典型系統(tǒng)架構(gòu)，這種供電方式的優(yōu)點在于其支持的輸出電壓范圍廣，即使輸出電壓降低到0V SR也能正常工作。 同步整流芯片U7269亦支持高端應用，有兩類配置方式。圖2中Vo引腳直接和HV引腳相連，此時VDD電壓會穩(wěn)定在9V左右。 圖3中Vo引腳和GND引腳相連，此時VDD電壓穩(wěn)定在6V左右。 同步整流芯片U7269主要特點： 支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)和有源鉗位（AC
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