智能化設(shè)備的質(zhì)量與可靠性均與大多數(shù)的電磁兼容(EMC)、電磁干擾(EMI)問題有關(guān)，而PCB的布局和堆疊設(shè)計(jì)是這其中重要的一環(huán)。充電器芯片U6218C設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)功能的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有Gate高電平16V鉗位電路，以防止高VDD輸入時(shí)Gate受損。

PCB設(shè)計(jì)對電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，充電器芯片U6218C設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考以下內(nèi)容（詳盡資料可參照規(guī)格書）：

● 原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

● RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。

● VDD 電容C3應(yīng)緊貼芯片，保證VDD 回路(Loop3)的面積盡可能小。

● 如 Line1 所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對于芯片的干擾。

● 如 Line2 所示，VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。

充電器芯片U6218C主要特性：

● 集成功率 MOSFET

● 高效率準(zhǔn)諧振式原邊控制

● 高精度恒壓、恒流輸出

● 待機(jī)功耗 <75mW@265Vac

● 多模式原邊控制方式

● 工作無異音

● 優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

● 優(yōu)化的 EMI 性能

● 內(nèi)置線損補(bǔ)償

● 集成單點(diǎn)失效保護(hù)

● 集成完善的保護(hù)功能：

短路保護(hù) (FB SLP)

過溫保護(hù) (OTP)

FB 過壓保護(hù) (FB OVP)

 VDD 過欠壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

● 封裝形式 SOP-8

為了滿足嚴(yán)苛的平均效率和待機(jī)功耗要求，充電器芯片U6218C采用了調(diào)幅控制(AM)和調(diào)頻控制(FM)結(jié)合的多模式控制技術(shù)。重載條件下，U6218C工作在準(zhǔn)諧振狀態(tài)，以保證優(yōu)異的效率和溫升性能。隨著負(fù)載降低，芯片先后進(jìn)入調(diào)頻模式(FM)和調(diào)幅模式(AM)，以達(dá)到提高輕載效率和降低噪音的目的。

深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的綠色節(jié)能充電器芯片，不僅可以幫助客戶降低產(chǎn)品的耗能和提升效率，還能實(shí)現(xiàn)高效產(chǎn)品更高性能優(yōu)化設(shè)計(jì)，促進(jìn)高效和可持續(xù)的雙贏，提升電子設(shè)備的質(zhì)量與可靠性！