耐高壓的MOS管與耐低壓的MOS管區(qū)別：耐高壓的MOS管其反應(yīng)速度比耐低壓的MOS管要慢。
   mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
  雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓Mos管。

銀聯(lián)寶科技的MOS管9926有哪些優(yōu)良傳統(tǒng)呢？AP9926是性能極高的溝槽N溝道MOSFET，具有很高的單元密度，可為大多數(shù)小功率開關(guān)和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷，AP9926符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，并獲得的功能可靠性認(rèn)證。

AP9926雙N溝道MOSFET特征

•低導(dǎo)通電阻

•24/26mΩ@ V GS = 4.5V

•30/35mΩ@ V GS = 2.5V

•低門限電壓

•低輸入電容

•快速切換速度

•低輸入/輸出泄漏

•無鹵素選項(xiàng)可用

•TrenchFET®功率MOSFET的

•無鉛設(shè)計(jì)/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

•“綠色”設(shè)備

•符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

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