小器件、大作用的MOS管五大關(guān)鍵點(diǎn)？
1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)
2、工作原理
3、特性曲線
4、其它類型MOS管
(1)N溝道耗盡型：制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時(shí)，由于正離子的作用，兩個(gè)N區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)。
(2)P溝道增強(qiáng)型：VGS = 0時(shí)，ID = 0開(kāi)啟電壓小于零，所以只有當(dāng)VGS < 0時(shí)管子才能工作。
(3)P溝道耗盡型：制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的負(fù)離子，所以即使在VGS=0 時(shí)，由于負(fù)離子的作用，兩個(gè)P區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)。
5、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
(1) 開(kāi)啟電壓VT ：在VDS為一固定數(shù)值時(shí)，能產(chǎn)生ID所需要的小 |VGS | 值。(增強(qiáng))
(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數(shù)值時(shí)，使 ID對(duì)應(yīng)一微小電流時(shí)的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時(shí)，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。
(5) 低頻跨導(dǎo) gm ：表示VGS對(duì)iD的控制作用。
(6) 大漏極電流 IDM
(7) 大漏極耗散功率 PDM
2、工作原理
3、特性曲線
4、其它類型MOS管
(1)N溝道耗盡型：制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時(shí)，由于正離子的作用，兩個(gè)N區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)。
(2)P溝道增強(qiáng)型：VGS = 0時(shí)，ID = 0開(kāi)啟電壓小于零，所以只有當(dāng)VGS < 0時(shí)管子才能工作。
(3)P溝道耗盡型：制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的負(fù)離子，所以即使在VGS=0 時(shí)，由于負(fù)離子的作用，兩個(gè)P區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)。
5、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
(1) 開(kāi)啟電壓VT ：在VDS為一固定數(shù)值時(shí)，能產(chǎn)生ID所需要的小 |VGS | 值。(增強(qiáng))
(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數(shù)值時(shí)，使 ID對(duì)應(yīng)一微小電流時(shí)的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時(shí)，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。
(5) 低頻跨導(dǎo) gm ：表示VGS對(duì)iD的控制作用。
(6) 大漏極電流 IDM
(7) 大漏極耗散功率 PDM
(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS
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